定義器件結構 從atlas定義器件結構 1. 定義網格 這里，通過定義每個坐標值處的網格間距來定義整個器件的網格分布，在相鄰兩個定義了網格間距的坐標值之間的區域，網格的間距漸...
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從Atlas定義器件結構
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第一章 半導體物理與性質綜述---①
1.1介紹 半導體器件的物理本質上依賴于（naturally dependent on）半導體材料本身的物理性質。本章對半導體的基本物理和性質進行了總結和回顧。它只代表了有關...
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文章、專利下載查詢實用網址
一、文章下載網址 1，百度學術下載文章 2，百度學術輸文章名，找到對應的DOI，然后復制到下面的網址 http://sci-hub.tw 3，百度學術上面找不到，可以去下面這...
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第二章 載流子輸運現象
2.1 載流子漂移 遷移率：表示單位場強下帶電子的平均漂移速度（溫度、載流子濃度對其有影響） 晶體周期勢的影響被記入傳到電子的有效質量中，與自由電子質量不同。在熱平衡狀態下，...
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第一章 能帶和熱平衡載流子濃度1.1 半導體材料 硅器件在室溫下有較佳的特性，且高品質的硅氧化層可由熱氧化的方式生長，價格低廉，豐度僅次于氧，工藝發展最為完善。 砷化鎵適用于高速和光電器件。 1.2 基本...
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PT100溫度采集電路設計
** PT100是熱敏電阻，使用中通過熱敏電阻阻值變化來測算出被測溫度；** 通常使用惠斯通電橋法電路來測量需要測定的電阻值； 由于之前未想到使用惠斯通電橋方法來測量，所以實...
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