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1.1介紹 半導體器件的物理本質上依賴于(naturally dependent on)半導體材料本身的物理性質。本章對半導體的基本物理和性質進...
2.1 載流子漂移 遷移率:表示單位場強下帶電子的平均漂移速度(溫度、載流子濃度對其有影響) 晶體周期勢的影響被記入傳到電子的有效質量中,與自由...
1.1 半導體材料 硅器件在室溫下有較佳的特性,且高品質的硅氧化層可由熱氧化的方式生長,價格低廉,豐度僅次于氧,工藝發展最為完善。 砷化鎵適用于...