前言
三極管是一種電流信號放大器件。
三極管是有源器件，正常工作需要外加電源。
給三極管輸入小電流，能夠得到幾十、幾百倍的輸出電流。
像是一個水龍頭，我們輕輕轉動閥門，就可以控制很大的水壓、水流。
電路符號
如圖，圓圈中的標志即是三極管的電路符號。它有三個引腳b-c-e（綠色字體），分別是基極Base，集電極Collector，發射極Emiter。
9013是一種三極管器件型號。
常見的低頻小功率三極管型號有9012,9013，8050，8550……
電流放大特點體現為：IC=β·IB，β是放大倍數。以及，IE=IB+IC=(1+β)·IB
器件外形
圖下的字符是器件封裝名稱，器件型號一般印刷在器件上。
引腳識別參考下圖，但還是請以具體器件的型號手冊為準。
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信號放大原理
結構決定性質。
先看三極管組成結構，以NPN型三極管為例：
NPN三極管由兩片N型半導體夾著一片P型半導體組成，分別引出3個引腳：集電極Collector，基極Base，發射極Emitter（后文簡稱C、B、E）。
中間基區的P型很薄很薄且摻雜濃度低，下面發射區的N型比上面集電區的N型摻雜濃度高得多。這兩個特點很重要。
由圖可見，形成了兩個方向相反的PN結（白色區域代表空間電荷區，紅色箭頭代表內電場方向）。所以，在C-E兩個引腳間無論加哪個方向的電壓都不會導通。
當在B-E間加正偏電壓后，BE間PN結（稱為發射結）導通，內電場（下方的白色區域）被削弱變窄，發射區電子擴散到基區，在基極外電源的作用下形成基區電流iB。基極和發射極形成一個電流回路，能夠產生持續的電流。
因基區較薄摻雜濃度低，擴展到基區的電子又很多，所以不會全部被空穴復合，多余的電子就會繼續向電子濃度稍低的集電區擴散，同時也會受到B-C集電結的內電場作用，漂移到集電區。但是集電極和發射極之間不存在導電回路，便不會產生持續的電流。此時，如果在C-E間也施加正向電壓，那么集電區收集到的電子會通過Vce電壓泵的作用流向E極，便產生了持續電流。
要注意的是，此時VBase≈0.7V,如果集電極電位Vc較小，比如小于0.7V，那么集電結正偏，內電場被削弱，集電極收集電子的能力也變弱，電流很小。當VC>VB時，集電結反偏，內電場被加強，收集電子能力增強，基區電子就會成功被吸入輸出回路。
如果增加基極電流，那么擴散到基區的電子也會增加，集電極收集到的電子數量也成倍增加。
如果一直持續增加Vce，卻發現輸出回路電流不再增加。因為集電結反偏，收集電子能力大大增強，基區電子除了被基極B吸收進入輸入回路（左紅圈回路），其余幾乎都被集電極“搶走”，即便Vce繼續增加，單位時間內擴散到基區的電子數依然不變，電流iC也就幾乎不增加。輸出回路的載流子環路中（右紅圈回路），電子的流量，受到發射結在單位時間內擴散運動產生的自由電子數限制，而擴散運動的強度受基極電位VBE影響。
傳輸特性
根據以上分析，便可以更加容易理解三極管的伏安特性曲線了，如下圖：
橫軸vCE，縱軸iC 。
圖中有多條平行曲線，分別對應于輸入iB為100uA，80uA……0的情形。可以看到，在VCE比較大的時候，也就是放大區，隨著iB的等比例增加，輸出iC也是等比例增加的，放大倍數β=4mA/100uA=40倍
我們把這幅圖分為3個區。
截止區：輸入電流 IB為零，輸出 IC也是零。
飽和區：由于vCE太小（一般<1V），集電極收集電子數小于擴散電子數。
放大區：vCE增加到1V附近時，集電結反偏收集電子能力增強，基區電子除了被基極B吸收，其余都被集電極“搶走”，即便Vce繼續增加，電流iC增加也不明顯。
一般在信號放大電路中，我們使用三級管的放大區，利用iC=β·iB。
有時候使用三極管的截止區，將三極管當做開關使用。
補充
本文提到的三極管，叫做BJT，雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor）。雙極Bipolar 的意思是這種器件的載流子有兩種極性。和半導體不同，一般導體（金屬）的載流子只有自由電子。
三極管有NPN和PNP兩種，如果使其工作在放大區，都需要發射結正偏，集電結反偏。
畫圖方法：三極管符號中有個小箭頭，它代表發射結P→N的方向。所以，小箭頭都是畫在B-E引腳之間，小箭頭方向代表P→N。B-C之間不畫箭頭。
圖中紅色箭頭代表電流方向，不屬于電路符號，是我特意標出來給大家看的，兩種類型三極管的共同特點：
1、IC=β·IB，
2、IE = IB+IC=(1+β)IB≈IC （因為 β>>1，一般為幾十到幾百）
3、如果工作在放大區，都需要發射結正偏，集電結反偏
