前言

1、要對NAND FLASH 的底層結構喲充分的了解才能在上層應用中更好得更具其所具有的特性進行相應的改進。（也許這就是所謂的深度定制吧、或者叫做優化）

參考文獻：http://www.360doc.com/content/13/0408/14/4186481_276901325.shtml

http://www.ssdfans.com/nand-error%E6%9C%BA%E5%88%B6%E8%A7%A3%E6%9E%90/

內容

Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設備(Non-volatile Memory Device)

知道所要了解的內容的英文名字是必須的。

存儲單元

讀、寫、擦除的簡單描述：

1.對于NAND Flash的寫入（編程)，就是控制Control Gate去充電（字線Control Gate加壓），使得懸浮門存儲的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示0。

2.對于NAND Flash的擦除(Erase)，就是對懸浮門放電（位線加壓），低于閥值Vth，就表示1。

3讀取數據的時候給控制柵加讀取電壓，對于浮置柵中有電荷的單元來講，浮置柵中的電荷可以抵消提供給控制柵的電壓，造成閾值電壓升高。與浮置柵中沒有電荷時的情況相比，如果不給控制柵提供更高電壓，則漏極-源極之間不會處于導通的狀態。因此，通過向控制柵加讀取電壓，判斷漏極-源極之間是否處于導通狀態，可以判斷浮置柵有沒有存儲電荷，進而判斷該存儲單元是”1″還是”0″

讀、寫、擦除的詳細描述：

1、寫

寫

1、如圖所示，綠色的Cell是寫0，它們需要Program，紅色的cell寫1，并不需要Program。我們把綠色的Cell稱為Programmed Cells，紅色的Cell稱為Stressed Cells。寫某個Page的時候，會在其WordLine的控制極加一個正電壓(下圖是20V),對于Programmed Cells所在的String，它是接地的，對于不需要Program Cell所在的String，則接一正電壓（下圖為10V）。

2、讀操作

讀

讀取NAND的某個Page時，Block當中未被選取的Page控制極都會加一個正電壓，以保證未被選中的MOS管是導通的