https://www.zhihu.com/question/26998618?rf=21019431
要想造個芯片，首先，你得畫出來一個長這樣的玩意兒給Foundry。
foundry是鑄造廠的意思，是外包的晶圓制造公司。
再放大
cool！我們終于看到一個門電路啦。這是一個NAND Gate（與非門），大概是這樣的。
A,B是輸入，Y是輸出。
其中藍色的是金屬1層，綠色是金屬2層，紫色是金屬3層，粉色是金屬4層...
那么晶體管呢？注意，說的是晶體管，但是199X年以后，主要是mosfet了，就是場效應管了。
仔細看圖，看到里面那些白色的點么？那是襯底。
還有一些綠色的邊框？那些是active layer（也就是摻雜層）
foundry是怎么做的呢？
大體上可以分為以下幾步。
首先搞到一塊圓圓的硅晶圓，就是一大塊晶體硅，然后打磨得很光滑，一般是圓的。
濕洗，就是用各種化學試劑，保持硅晶圓表面沒有雜質。
光刻
用紫外線，透過蒙版，照射硅晶圓，被照射到的地方，就會容易被洗掉，沒有被照射到的地方，就保持原來的樣子。
- 離子注入
在硅晶圓，不同的位置，加入不同的雜質。
不同的雜質，根據濃度\位置的不同，就組成了場效應管。
4.1 蝕刻
干蝕刻：之前用光刻出來的形狀，其實又很多不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。
現在就要用【離子體】把他們清洗掉，或者是一些，在第一步光刻，先不需要刻出來的結構，這一步進行蝕刻。
濕蝕刻：進一步洗掉，但是用的是試劑，所以叫濕蝕刻。
上面的步驟做完之后，場效應管，就已經被做出來了。
但是以上步驟，一般都不止做一次，很可能需要反反復復地做，以達到要求。
等離子沖洗，用較弱的等離子束，轟擊整個芯片
熱處理，其中又分為
快速熱退火：就是瞬間把整個片子，通過大功率燈啥的，照到1200攝氏度以上，
然后慢慢冷卻下來，為了讓注入的離子，能更好地被啟動、被熱氧化。
退火
熱氧化：制造二氧化硅，也就是場效應管的柵極（gate）
7 化學氣相淀積（CVD）：進一步精細處理表面的各種物質
8 物理氣相淀積（PVD）：類似，而且可以給敏感部件加coating
9 分子束外延（MBE）：如果需要長單晶的話，就需要這個
10 電鍍處理
11 化學/機械表面處理，然后芯片就差不多了，
12 晶圓測試
13 晶圓打磨
就可以出廠封裝了。
