
一、MOS管的跨導gm: 其定義為,單位柵壓變化下漏極電流的變化。即,Vgs對Id的控制能力,或衡量MOS管放大能力的最重要的物理量。 其公式為...
襯底電位:襯底電壓要保證源漏PN結反偏。 閾值電壓Vth:表面電子濃度等于襯底多子濃度時的VG。 MOS的工作區: 1.截止區:0<Vgs<Vt...
異或指令: 此指令兩個寄存器中的值按位執行“異或”操作,并根據指令的執行結果更新程序狀態寄存器的標志位。 EOR <Rn>, <Rm> R...
改變處理器狀態: CPS<effect> <effect> = IE : interrupt enable, PRIMASK = 0; = ...
比較指令: (1)此指令將一個寄存器的值和8位立即數做比較,并根據結果更新程序狀態字的標志位。 CMPS <Rn>, # 操作為:Rn-i...
比較指令: 此指令將一個寄存器的值和另一個寄存器的值的反值相減。它根據結果更新條件標志,并丟棄結果。 CMN <Rn>, <Rm> Rn存放...
跳轉指令: 跳轉到寄存器指定的地址和指令。ARMv6-M只支持Thumb狀態。試圖改變指令執行狀態會導致異常。 BX <Rm> Rm包含跳轉目...
帶返回鏈接的無條件跳轉指令: 在指定的地址和指令上調用子程序,ARMv6-M只支持Thumb狀態。試圖更改指令執行狀態會導致異常。 BLX <...
斷點中斷指令: 此指令可使處理器產生異常。 BKPT imm8指定存儲在指令中的8位值。這個值會被處理器忽略,但是調試器可以使用它來存儲關于...